此設(shè)計(jì)示例報(bào)告介紹了使用 InnoSwitch-CH INN2023K 的 10 W CV/CC 單側(cè) USB 充電器。它具有內(nèi)置同步整流以實(shí)現(xiàn)高效率和單面 PCB。此外，它還具有次級側(cè)控制的所有優(yōu)點(diǎn)以及初級側(cè)調(diào)節(jié)的簡單性。憑借 <10 mW 空載輸入功率和 ±3% CV、±5% CC 調(diào)節(jié)，它對變壓器變化不敏感，并且其瞬態(tài)響應(yīng)與負(fù)載時(shí)序無關(guān)。該設(shè)計(jì)適用于手機(jī)/USB充電器。
　　　　圖 1 已安裝的電路板，頂視圖
　　　圖 2 已安裝的電路板，底視圖
　　　圖3 示意圖
　　輸入 EMI 濾波
　　保險(xiǎn)絲 F1 提供保護(hù)，防止初級
　　側(cè)組件發(fā)生災(zāi)難性故障。
　　由于整流橋 BR1 的浪涌電流額定值較低，并且大容量存儲電容器 C1 和 C2 的值相對較高，因此阻抗較低，因此需要浪涌限制熱敏電阻 (RT1)。
　　由于空間有限，特別是 PCB 到外殼的高度有限，因此選擇了物理尺寸較小的橋式整流器 BR1。
　　電容器 C1 和 C2 對整流后的交流輸入進(jìn)行濾波，并與 L1 和 L2 一起形成 π (pi) 濾波器，以衰減差模 EMI。低值 Y 電容器 (C8) 可降低共模 EMI。
　　InnoSwitch-CH IC 初級
　　變壓器初級的一側(cè)連接到整流直流母線，另一側(cè)連接到 InnoSwitch-CH IC (U1) 內(nèi)部的集成 650 V 功率 MOSFET。
　　由于變壓器和輸出走線電感的影響，由 D1、R1、R2 和 C3 形成的低成本 RCD 鉗位限制了峰值漏極電壓。
　　該 IC 是自啟動(dòng)的，首次施加交流電時(shí)，使用內(nèi)部高壓電流源為 BPP 引腳電容器 (C4) 充電。在正常操作期間，初級側(cè)塊由變壓器上的輔助繞組供電。其輸出配置為反激式繞組，經(jīng)過整流和濾波（D2 和 C5），并通過限流電阻器 R3 饋入 BPP 引腳。