去飽和檢測電路
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-10-17 17:18:02 | 658 次閱讀
去飽和故障檢測電路為功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT 或 MOSFET)提供保護,防止發(fā)生可能導(dǎo)致這些功率開關(guān)損壞的短路電流事件。逆變器的這種去飽和也可能是由于逆變器柵極驅(qū)動器性能不佳或驅(qū)動器電源電壓問題導(dǎo)致柵極驅(qū)動信號不足而發(fā)生的。其他可能導(dǎo)致逆變器中電流過大和功耗過大的故障模式可能是由于不正確的用戶連接或接線不良導(dǎo)致的相和/或軌電源短路、噪聲或計算錯誤導(dǎo)致的控制信號故障、過載條件造成的由負載引起的以及柵極驅(qū)動電路中的組件故障。功耗的急劇增加很快就會使功率逆變器過熱并損壞。為了防止對驅(qū)動器造成災(zāi)難性損壞,必須實施去飽和故障檢測和保護,以減少或關(guān)閉故障條件下的過電流。本應(yīng)用筆記介紹了 Avago 智能柵極驅(qū)動器中去飽和故障檢測功能的設(shè)計。
Avago 驅(qū)動程序中的去飽和故障檢測功能如何工作?
去飽和檢測電路如何工作?
IGBT 集電極-發(fā)射極電壓 VCESAT 由柵極驅(qū)動光耦合器的 DESAT 引腳(圖 1a 和 1b 中的引腳 14)進行監(jiān)控。當(dāng)應(yīng)用中出現(xiàn)短路并且有非常大的電流流過IGBT時,它將進入去飽和模式;因此其VCESAT電壓將會上升。一旦 VCESAT 電壓高于內(nèi)部去飽和故障檢測閾值電壓(通常為 7.0 V),光耦合器柵極驅(qū)動器(當(dāng) IGBT 開啟時)就會檢測到故障。此故障檢測會觸發(fā)兩個事件:
光耦合器柵極驅(qū)動器的 Vout 緩慢降低,以“軟”關(guān)斷 IGBT 并防止大的 di/dt 感應(yīng)電壓尖峰。
內(nèi)部反饋通道被激活,使故障輸出變低,以通知微控制器故障情況。此時,微控制器必須采取適當(dāng)?shù)拇胧﹣黻P(guān)閉或重置電機驅(qū)動器。
軟關(guān)斷Avago 柵極光電耦合器(例如 ACPL-333J、ACPL-330J、ACPL-332J、ACPL-331J 和 HCPL-316J)中存在此功能。當(dāng) DESAT 功能檢測到故障時,輸出驅(qū)動級中的弱下拉器件將開啟以“軟”關(guān)斷 IGBT,并防止出現(xiàn)較大的 di/dt 感應(yīng)電壓。該器件對 IGBT 柵極緩慢放電,以防止集電極電流快速變化,這種變化可能會因雜散電感而導(dǎo)致破壞性電壓尖峰。在緩慢關(guān)斷期間,大輸出下拉器件保持關(guān)閉狀態(tài),直到輸出電壓降至 VEE + 2V 以下,此時大下拉器件將 IGBT 柵極鉗位至 VEE。
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