本應(yīng)用筆記介紹了從 MOSFET 漏極驅(qū)動(dòng)的 ZCD（零電流檢測(cè)）引腳。該文檔描述了標(biāo)準(zhǔn) ZCD 配置及其替代配置和電阻器配置。
    本應(yīng)用筆記介紹了從 MOSFET 漏極驅(qū)動(dòng)的 ZCD（零電流檢測(cè)）引腳。該文檔描述了標(biāo)準(zhǔn) ZCD 配置及其替代配置和電阻器配置。
    CS1601 采用 ZCD（零電流檢測(cè)）設(shè)計(jì)，使控制器能夠在通過升壓電感器的電流接近于零時(shí)開啟 MOSFET。這也可以描述為谷值/過零切換。這是通過在 PFC 扼流圈上添加一個(gè)檢測(cè)繞組來檢測(cè)電流來實(shí)現(xiàn)的。
    如果由于設(shè)計(jì)或制造限制而在升壓電感器上添加輔助繞組成為問題，則下面介紹了實(shí)現(xiàn)此功能的替代方法。
    標(biāo)準(zhǔn) ZCD 配置
    CS1501 和 CS1601 的標(biāo)準(zhǔn)配置是在 PFC 升壓電感器中添加輔助繞組，以提供零電流檢測(cè) (ZCD) 信息。      

 PFC 升壓電感器中添加了一個(gè)輔助繞組，以提供零電流檢測(cè) (ZCD) 信息。ZCD 比較器尋找輔助繞組上的零交叉，并在輔助電壓低于零時(shí)進(jìn)行切換。在振蕩波谷進(jìn)行開關(guān)可最大限度地減少開關(guān)損耗并降低 EMI 噪聲。

    替代配置    可以使用來自 PFC MOSFET 漏極的電阻分壓器來實(shí)現(xiàn) ZCD。參見圖 2。

    

   

    在較輕的負(fù)載下，電阻分壓器電路可能不會(huì)將 ZCD 引腳拉至其觸發(fā)閾值（低），因?yàn)檎疋忞妷罕旧頃?huì)偏離零伏。這可能會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器在 Boost MOSFET 的漏極到源極之間仍然存在電壓的情況下開啟。使用 47 pF 電容器與電阻器 R1 串聯(lián)，可以消除漏極波形上的 DC 漂移問題。電容器的值被最小化，以防止額外的電容性開關(guān)損耗。