在接收側(cè)，信號(hào)由兩個(gè)低噪聲放大器（Q1 和 Q11）放大，每個(gè)頻段一個(gè)。它們是使用BFP650 硅鍺晶體管制成的。LNA 的增益約為 14dB，噪聲系數(shù)為 1dB。LNA 微帶帶通濾波器之后將濾除不需要的信號(hào)。這些濾波器的設(shè)計(jì)需要充分了解 PCB 材料特性（Er、厚度等）。即使這些參數(shù)發(fā)生很小的變化也會(huì)改變?yōu)V波器的中心頻率，從而降低收發(fā)器的性能。所有濾波器都使用開關(guān)二極管（DAN235 或任何其他等效類型）在 RX 和 TX 模式之間切換。
    第一個(gè)混頻器是 Mini Circuits RAY-11。這是收發(fā)器中最昂貴的組件，但可以用覆蓋這些頻率的任何其他二極管混頻器代替。
    第一中頻的頻率為272MHz。選擇該頻率的原因是為了簡(jiǎn)化第一個(gè)本振的設(shè)計(jì)。272MHz IF 放大器使用 BFP650 和 MOSFET BF998， 由 AGC 控制。
    1.3GHz 頻段的第一個(gè)本振頻率為 1024MHz，2.3GHz 頻段的第一個(gè)本振頻率為 2048MHz，是 1024MHz 的兩倍。從相同的晶體振蕩器開始并使用級(jí)聯(lián)乘法器可以為第一個(gè)混頻器提供來(lái)自相同LO的信號(hào)，但拾取來(lái)自不同級(jí)的信號(hào)。
    RAY-11 混頻器和第一個(gè) IF 帶通濾波器使用二極管（D3、D4）在 RX 和 TX 模式之間切換。
    Q2 和 Q3 是第一個(gè) IF 放大器，第二個(gè) RX 混頻器是雙柵極 MOS 晶體管 (Q4)。
    第二個(gè) IF 為 10.7MHz，并使用晶體濾波器（BW = 3kHz）完成主通道濾波。該濾波器使用二極管（D5 和 D6）在 RX 和 TX 之間切換。在 SSB-TX 模式下，該濾波器用于抑制 DSB 調(diào)制后剩余的不需要的邊帶和殘留載波。
    Q5和Q6是第二中頻放大器，它們由AGC控制。
    U1（SA612）具有三重功能。是 RX 模式下的產(chǎn)品檢測(cè)器、TX 模式下的 DSB 調(diào)制器和拍頻振蕩器，使用外部 10.7MHz 晶體。調(diào)節(jié)C25可以將BFO的頻率設(shè)置在晶體濾波器側(cè)面的右側(cè)位置。Q8還具有雙重功能，RX模式下的音頻前置放大器和TX模式下的DSB緩沖器。
    在 TX 模式下，10.7MHz SSB 信號(hào)由晶體濾波器過濾并由 U10 放大。隨后使用混頻器 U11 (SA612) 將信號(hào)轉(zhuǎn)換為 272MHz。    用于第一和第二 IF 之間轉(zhuǎn)換的第二 LO 是 PLL 或 DDS，覆蓋頻率從 261.3MHz 到 263.3MHz。此處未顯示該 LO 的原理圖。我自己使用了HF DDS (AD9850)上變頻至所需頻率。