N 溝道增強(qiáng)型（常關(guān)）功率 MOSFET (eMOSFET) 具有正閾值電壓和極高的輸入阻抗，使其成為直接連接微控制器、PIC 和數(shù)字邏輯電路的理想器件。產(chǎn)生如圖所示的正輸出。

    MOSFET 開(kāi)關(guān)由柵極輸入信號(hào)控制，由于 MOSFET 具有極高的輸入（柵極）電阻，我們幾乎可以無(wú)限制地將許多功率 MOSFET 并聯(lián)在一起，直到達(dá)到所連接負(fù)載的功率處理能力。
    在 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 中，器件截止 (Vgs = 0)，溝道閉合，就像常開(kāi)開(kāi)關(guān)一樣。當(dāng)向柵極施加正偏壓時(shí)，電流流過(guò)溝道。電流量取決于柵極偏置電壓Vgs。換句話說(shuō)，為了使 MOSFET 在飽和區(qū)運(yùn)行，柵源電壓必須足以維持所需的漏極，從而維持負(fù)載電流。
    如前所述，n 溝道 eMOSFET 由柵極和源極之間施加的電壓驅(qū)動(dòng)，因此如圖所示，在 MOSFET 柵極到源極結(jié)上添加一個(gè)齊納二極管，可以保護(hù)晶體管免受過(guò)高的正或負(fù)輸入電壓的影響，例如例如，這些是從飽和運(yùn)算放大器比較器輸出生成的。齊納二極管鉗位正柵極電壓并充當(dāng)傳統(tǒng)二極管，當(dāng)柵極電壓達(dá)到 –0.7V 時(shí)開(kāi)始導(dǎo)通，從而使柵極端子遠(yuǎn)離其反向擊穿電壓限制。