圖 1中的電路是流行的 TL431 可編程并聯(lián)穩(wěn)壓器的高功率模擬。當(dāng) P 溝道 FET 的漏極接地時(shí)，這種兩端電路很方便，因?yàn)樗恍枰c接地散熱器隔離。
    圖 1基于 TL431 的并聯(lián)穩(wěn)壓器或限幅器

    但是，沒有 TL431 的鏡像模擬，因此當(dāng)您有正接地時(shí)，您需要在漏極和接地散熱器之間進(jìn)行隔離，從而降低冷卻性能。
    圖 2所示的設(shè)計(jì)理念允許在接地散熱器上使用成本較低的 N 溝道 MOSFET。它還可以承受比圖 1 更低的輸入電壓值。

    圖 2  基于 TL431 的并聯(lián)穩(wěn)壓器或使用 N 溝道 MOSFET 的限幅器
    該電路可用作高功耗可調(diào)鉗位器，具有精確的電平控制和非常敏銳的響應(yīng)。如果需要，鎮(zhèn)流電阻 Rb可以 用保險(xiǎn)絲代替。 響應(yīng)時(shí)間不如 Transil/Transzorb 類型的部件快，但對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來說幾微秒就足夠了。
    該電路還可以用作大電流分流穩(wěn)壓器，但需要注意穩(wěn)定性。該電路在負(fù)載電容低于約 1nF 或高于約 200?F 時(shí)是穩(wěn)定的。
    該電路可以輕松按比例放大：只需選擇具有合適漏極電流的 FET。75A的HUF75652G3和85A的IRF1010N都用過。