開關(guān) (PWM) 電磁驅(qū)動(dòng)器電路
出處：維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于：2023-01-31 17:13:32 | 493 次閱讀
我想每個(gè)設(shè)計(jì)師都有真正靈感閃現(xiàn)的電路。這就是其中之一，如果有我覺得我應(yīng)該申請(qǐng)專利的電路，這肯定是其中之一！它比其 14 個(gè)組件所暗示的更復(fù)雜。
在焊接行業(yè)中，一種常見的焊接電源是“滴管”。它們以高開路電壓開始，可能高達(dá) 125 伏，負(fù)載時(shí)電壓急劇下降，可能降至 20 或 24 伏。要求是從這樣的下降器操作 12v 繼電器。這是結(jié)果電路。
用作電流源
這個(gè)相同的電路也非常成功地用作電流源，以從同一下降器提供低壓控制電路。環(huán)形電感器與串聯(lián)連接的負(fù)載一起使用，連接續(xù)流二極管，以便驅(qū)動(dòng)和續(xù)流電流都流過負(fù)載。負(fù)載電壓由齊納二極管調(diào)節(jié)。
我已經(jīng)以多種方式使用了這個(gè)電路，因此 4QD 生產(chǎn)相對(duì)較小的數(shù)量（比如 25-50）可能是經(jīng)濟(jì)的。
它通過 PWM（脈沖寬度調(diào)制）運(yùn)行 - 好吧，實(shí)際上是通過 PFM - 脈沖頻率調(diào)制。
上電時(shí)，C1 通過 D1 和 R1 充電。R2 將導(dǎo)通，將射極跟隨器 Tr2 的基極拉高，并將柵極電壓饋送到 MOSFET。Tr4。顯然，上電期間模擬區(qū)域中的電路，但由于這是用于高壓電源，因此上電非?？臁?/span>
當(dāng) Tr4 導(dǎo)通時(shí)，電流通過 R5 和螺線管線圈。電流逐漸增加，直到 R5 兩端的電壓高到足以導(dǎo)通 Tr1。
Tr1 和 Tr3 是互補(bǔ)反饋對(duì)，因此當(dāng) Tr1 導(dǎo)通時(shí)，它們?cè)谒賱?dòng)開關(guān)中相互導(dǎo)通，MOSFET 柵極被硬關(guān)斷。
螺線管線圈中的電流（通過電感）被迫保持流動(dòng)。它通過 D3 和 R4 實(shí)現(xiàn)。
但是流入 Tr1 基極的電流是通過 R4 和 Tr3 的電流之和。R2 的電流流過 Tr1，因此沒有電流流過 Tr2，因此 Tr3 電流（在電池放電后）僅是流過 R3 的電流。因此，通過 R5 的電流必須下降這個(gè)量，然后才不足以保持 Tr1 導(dǎo)通。該電流是由流過 R5 的感測(cè)繼電器電流引起的，因此 R3 與 R4 的比率設(shè)置了遲滯。
當(dāng)沒有足夠的電流來保持 Tr1 導(dǎo)通時(shí)，它會(huì)關(guān)閉，柵極會(huì)再次被 R5 和 Tr2 拉高，從而導(dǎo)通 MOSFET。它猛擊繼電器線圈上的電源電壓，建立電流。顯然，電流建立的速率將取決于電源電壓，因此在低壓下，MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間較長，在高壓下導(dǎo)通時(shí)間較短。
MOSFET 關(guān)閉的時(shí)間取決于繼電器線圈并且是恒定的，而開啟時(shí)間會(huì)變化，從而改變頻率。
需要選擇 R5，以便檢測(cè)所需的電流。它應(yīng)該在所需電流下降低一個(gè) Vbe（約 0.6v）。
需要選擇具有足夠電壓和電流處理能力的 MOSFET，當(dāng)然您可能需要對(duì) MOSFET 進(jìn)行散熱。
D3 應(yīng)該是一個(gè)高速二極管，其額定電壓至少等于電路將遇到的最高工作電壓。
這些東西都是操作條件相關(guān)的，所以我只好交給你了！
該電路在生產(chǎn)中被證明是非?？煽康?。顯然，您需要觀察電壓尖峰和電流額定值。當(dāng) MOSFET 進(jìn)入線性模式時(shí)，您也不應(yīng)該嘗試在低電壓下操作它，更不用說螺線管電壓加 15v。這不會(huì)立即損壞 MOSFET，但它會(huì)變熱。因此，最好不要通過連接和斷開電源來切換繼電器，而是通過激活和停用控制器來切換繼電器。稍后可以添加執(zhí)行此操作的方法。
在焊接行業(yè)中，一種常見的焊接電源是“滴管”。它們以高開路電壓開始，可能高達(dá) 125 伏，負(fù)載時(shí)電壓急劇下降，可能降至 20 或 24 伏。要求是從這樣的下降器操作 12v 繼電器。這是結(jié)果電路。
用作電流源
這個(gè)相同的電路也非常成功地用作電流源，以從同一下降器提供低壓控制電路。環(huán)形電感器與串聯(lián)連接的負(fù)載一起使用，連接續(xù)流二極管，以便驅(qū)動(dòng)和續(xù)流電流都流過負(fù)載。負(fù)載電壓由齊納二極管調(diào)節(jié)。
我已經(jīng)以多種方式使用了這個(gè)電路，因此 4QD 生產(chǎn)相對(duì)較小的數(shù)量（比如 25-50）可能是經(jīng)濟(jì)的。
上電時(shí)，C1 通過 D1 和 R1 充電。R2 將導(dǎo)通，將射極跟隨器 Tr2 的基極拉高，并將柵極電壓饋送到 MOSFET。Tr4。顯然，上電期間模擬區(qū)域中的電路，但由于這是用于高壓電源，因此上電非?？臁?/span>
當(dāng) Tr4 導(dǎo)通時(shí)，電流通過 R5 和螺線管線圈。電流逐漸增加，直到 R5 兩端的電壓高到足以導(dǎo)通 Tr1。
Tr1 和 Tr3 是互補(bǔ)反饋對(duì)，因此當(dāng) Tr1 導(dǎo)通時(shí)，它們?cè)谒賱?dòng)開關(guān)中相互導(dǎo)通，MOSFET 柵極被硬關(guān)斷。
螺線管線圈中的電流（通過電感）被迫保持流動(dòng)。它通過 D3 和 R4 實(shí)現(xiàn)。
但是流入 Tr1 基極的電流是通過 R4 和 Tr3 的電流之和。R2 的電流流過 Tr1，因此沒有電流流過 Tr2，因此 Tr3 電流（在電池放電后）僅是流過 R3 的電流。因此，通過 R5 的電流必須下降這個(gè)量，然后才不足以保持 Tr1 導(dǎo)通。該電流是由流過 R5 的感測(cè)繼電器電流引起的，因此 R3 與 R4 的比率設(shè)置了遲滯。
當(dāng)沒有足夠的電流來保持 Tr1 導(dǎo)通時(shí)，它會(huì)關(guān)閉，柵極會(huì)再次被 R5 和 Tr2 拉高，從而導(dǎo)通 MOSFET。它猛擊繼電器線圈上的電源電壓，建立電流。顯然，電流建立的速率將取決于電源電壓，因此在低壓下，MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間較長，在高壓下導(dǎo)通時(shí)間較短。
MOSFET 關(guān)閉的時(shí)間取決于繼電器線圈并且是恒定的，而開啟時(shí)間會(huì)變化，從而改變頻率。
需要選擇 R5，以便檢測(cè)所需的電流。它應(yīng)該在所需電流下降低一個(gè) Vbe（約 0.6v）。
需要選擇具有足夠電壓和電流處理能力的 MOSFET，當(dāng)然您可能需要對(duì) MOSFET 進(jìn)行散熱。
D3 應(yīng)該是一個(gè)高速二極管，其額定電壓至少等于電路將遇到的最高工作電壓。
這些東西都是操作條件相關(guān)的，所以我只好交給你了！
該電路在生產(chǎn)中被證明是非?？煽康?。顯然，您需要觀察電壓尖峰和電流額定值。當(dāng) MOSFET 進(jìn)入線性模式時(shí)，您也不應(yīng)該嘗試在低電壓下操作它，更不用說螺線管電壓加 15v。這不會(huì)立即損壞 MOSFET，但它會(huì)變熱。因此，最好不要通過連接和斷開電源來切換繼電器，而是通過激活和停用控制器來切換繼電器。稍后可以添加執(zhí)行此操作的方法。
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