掉電保護簡介
　　掉電數(shù)據(jù)保護是系統(tǒng)設(shè)備一個重要的功能。

　　目前，掉電數(shù)據(jù)保護的方法主要有2種：
　?。ǎ保┘幼銐蛉萘總溆眯?a target="_blank">電池，使系統(tǒng)掉電后繼續(xù)工作；
　?。ǎ玻┎患觽溆秒姵?，把掉電時需要保護的數(shù)據(jù)存儲在非易失性存儲器中，如FLASH和EEPROM。
　　種方法器件體積大、費用高并且蓄電池壽命短；第二種方法簡單，但擦寫器件的壽命有限。本文在第二種的基礎(chǔ)上提出一種改進方法，即利用LM358作為電壓比較器，當檢測到系統(tǒng)掉電時才將數(shù)據(jù)寫入EEPROM中。該方法不僅實現(xiàn)了系統(tǒng)數(shù)據(jù)掉電的保護，而且延長了EEPROM的壽命。
　　基于LM358的單片機掉電保護電路設(shè)計

　　如圖1，通過調(diào)節(jié)R2，使系統(tǒng)正常供電時，Ua》Ub=3.5V，c端輸出高電平；當系統(tǒng)掉電時，因二極管D1的隔離，使LM358得不到供電。由于電容C2和電感L的存在，電容C2和電感L1繼續(xù)為單片機提供短暫時供電，并且因下拉電阻R5的存在，使得c端輸出低電平。用于觸發(fā)單片機INT0中斷。
　　根據(jù)STC12C5A60S2系列單片機資料，對EEPROM寫一個字節(jié)和擦除一個扇區(qū)所需的時間分別為55μs和21ms。正常模式下，典型功耗為2mA-7mA。5V單片機和3.3V單片機對EEPROM進行操作的有效電壓分別為Umin=3.7V和Umin=2.4V。
　　系統(tǒng)掉電后，等效電路模型為RLC串聯(lián)回路。放電過程時電路的微分方程為：
　　根據(jù)R、L和C的參數(shù)值的不同，可分為欠阻尼振蕩狀態(tài)、臨界阻尼狀態(tài)、過阻尼狀態(tài)。上面的方程可分為以下三種：
　　綜上所述：當負載R一定時，選取合適的電容和電感（本文選取C 2 =6600uf/25V、L 1 =0.1H）。L 1 和C 2 的具體參數(shù)可通過試驗測試得到。只要u c （t）從初始狀態(tài)的u c （t）| t=0 衰減到u c （t）| t=t0 =U min 的時間大于維持觸發(fā)中斷對EEPROM進行操作所需的時間t0就能滿足系統(tǒng)正常工作的要求。
　　單片機軟件設(shè)計
　　主程序和中斷服務(wù)子程序流程圖分別如下圖2和圖3所示。

　　圖2：主程序

　　圖3：中斷服務(wù)子程序

　　與本設(shè)計有關(guān)的程序如下：
　　void main（void）
　　{
　　??
　　Byte_Read（Address）;
　　While（1）
　　{??}
　　}
　　void INT0_int（）interrupt 0
　　{
　　Sector_Erase（Address）;
　　Byte_Program（Address，Date）;
　　Delay（XX）； //延時，確保系統(tǒng)可靠
　　}
　　分析：系統(tǒng)掉電時，INT0中斷被觸發(fā)，在中斷服務(wù)子函數(shù)中對EEPROM進行擦除和寫的操作。
　　總結(jié)
　　該系統(tǒng)的實現(xiàn)，應(yīng)用于二維運動控制平臺。系統(tǒng)掉電時，X軸和Y軸坐標以及其他參數(shù)被寫入EEPROM中。系統(tǒng)重新上電后，讀取出存儲在EEPROM里X軸和Y軸坐標及其他參數(shù)，工作平臺以該位置為起點繼續(xù)沿著原設(shè)定的位置運動。
　　本文的就是基于LM358作為電壓比較器，檢測到系統(tǒng)掉電時才對EEPROM進行擦寫，避免了每執(zhí)行一遍程序?qū)EPROM進行擦除而造成其壽命短的問題。軟、硬件結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，提高了系統(tǒng)的實用性。
　　本文給出了典型的應(yīng)用程序，具有良好的可移植性。加入循環(huán)語句可以把多個數(shù)據(jù)存EEPROM或從EEPROM里讀出。