IGBT的基本應(yīng)用

出處：zhude_111 發(fā)布于：2011-09-03 09:19:34 | 2418 次閱讀

IGBT的靜態(tài)特性

　　IGBT的伏安特性如圖1-33a所示。與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數(shù)是柵源電壓Uos而不是基極電流。
　　圖1-33b表示出IGBT的轉(zhuǎn)移特性，它與VMOS管的轉(zhuǎn)移特性相同。在大部分漏極電流范圍內(nèi)，I與U呈線性關(guān)系。只要當(dāng)柵源電壓接近閥值電壓U時才呈非線性關(guān)系，此時漏極電流相當(dāng)小，當(dāng)柵源電壓小于U時，IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)。
　　IGBT的靜態(tài)開關(guān)特性，如圖1-33c所示，當(dāng)柵源電壓大于閥值電壓時，IGBT即導(dǎo)通。
　　與VMOS器件相比，IGBT的導(dǎo)通壓降要小得多，這是因為IGBT眾多N-漂移存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)
　　由于IGBT是一種兼有GTR和VMOS特點(diǎn)的復(fù)合器件，所以它的許多參數(shù)的定義與上述兩種關(guān)注基本相同。

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