TTL異或門電路原理圖

出處：lw369 發(fā)布于：2011-08-25 22:06:24 | 9594 次閱讀

TTL異或門電路原理圖

　　TTL門電路工作速度相對于MOS較快，但由于當輸出為低電平時T5工作在深度飽和狀態(tài)，當輸出由低轉(zhuǎn)為高電平，由于在基區(qū)和集電區(qū)有存儲電荷不能馬上消散，而影響工作速度。
　　改進型TTL與非門可能工作在飽和狀態(tài)下的晶體管T1、T2、T3、T5都用帶有肖特基勢壘二極管（SBD）的三極管代替，以限制其飽和深度，提高工作速度改進型TTL與非門增加有源泄放電路。

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