MOSFET小功率功放

出處：bOy4477 發(fā)布于：2011-08-24 20:36:54 | 2186 次閱讀

　　"MOSFET"是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是"金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管".它是由金屬、氧化物（SiO2或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET（Power MOSFET）是指它能輸出較大的工作電流（幾安到幾十安），用于功率輸出級(jí)的器件。
　　由于市場(chǎng)差異，MOSFET小功率功放選管參數(shù)可定為Vgs≈±1V,Vds≈±30V,Id≈2A;gfs≈15~20s,可使用N溝道K214P,P溝道J77或K246/J103,使用雙電源±5~±27V均可，輸出功率2.5~25W.制作要點(diǎn)為A點(diǎn)電壓控制在1.8~2.3V之間，MOSFET盡量斷電焊接。

MOSFET小功率功放電路

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