場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108~109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
　　場效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：
　?。?）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過UGS來控制ID;   （2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。   （3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；   （4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；   （5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；   （6）由于不存在雜亂運(yùn)動的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。