這是一個三相供電圖，Q1和Q2組成一相，Q3和Q4組成一相，Q5和Q6組成一相。每一相都是在PWM控制IC（CS5301）的控制下，輪流導流的，而不是同時導通。CS5301通過Gate1（H）腳輸出控制Q1導通與截止，通過Gate2（L）輸出控制Q2的導通與截止。當Gate1（H）輸出時，Q1導通，此時Q2截止（Gate1（L）無輸出），+12V
　　端L4及濾波電容C15和C16的儲能，通過Q1釋放并向L1及其后并聯(lián)的濾波電容（儲能電容的安裝數(shù)字電路的電源線與回流線之間總要連接很多的電容器通常稱為濾波電容。）充電，L1儲能。當Q1截止Q2導通時，L1上的儲能通過Q2向濾波電容充電。一相完成一個導通截止期后，下一相再工作。多相輪流工作的好處是，功率管有更多的休息時間，減小了發(fā)熱。
　　有的主板為減小發(fā)熱，每一相上還并聯(lián)一個MOS管，或預留有并聯(lián)的位置。（發(fā)給媒體評測的板子就焊上并聯(lián)管，零售的就取消了變成了預留并聯(lián)位）
　　因為CPU的供電電壓為低電壓（1.1-1.8V），而電源為CPU供電的電壓比較高（P4為+12V,AMD大部分是+5V現(xiàn)在AMD也越來越多的用+12V供電了），所以Q1通過的電流比Q2要小，Q1可以取指標小點。同樣，儲能電感L4的指標也比后面的L1（L2、L3）小，我們在主板實物中看到：如果是環(huán)形的L4（和L1、L2、L3外形相同），但它上面繞的線也比L1等要稀。
　　這也是我們在一些主板上看到MOS管（mos管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。）大小不一樣的情景。大多數(shù)主板為了采購生產(chǎn)方便，Q1和Q2型號相同。
　　以上實質(zhì)上就是一個DC-DC變換，L4及C15-16組成前級DC.L1（L2、L3及并聯(lián)的濾波電容）構成后級DC
　　通過上面介紹，我們知道PWM供電電路必須包含前DC-DC的前級電路和DC-DC后級各相組成的電路。根據(jù)這個特點，我們就比較好分辨出主板是幾相供電了。