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一種低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)-中輝盛電子

出處:wangfu1977 發(fā)布于:2011-07-29 12:48:55 | 1850 次閱讀

本文來(lái)自:深圳市中輝盛電子有限公司

 摘要:設(shè)計(jì)了一種用HHNEC 0.35μmBCD 工藝實(shí)現(xiàn)的LDO 線性穩(wěn)壓器, 該LDO 是一款低功耗,帶寬大的低壓差線性穩(wěn)壓器。對(duì)其結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行分析, 討論了關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì), 模擬結(jié)果驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的正確性。

  1 引言

  隨著集成電路規(guī)模的發(fā)展, 電子設(shè)備的體積、重量和功耗越來(lái)越小, 這對(duì)電源電路的集成化、小型化及電源管理性能提出了越來(lái)越高的要求。而隨著片上系統(tǒng)( SOC) 的不斷發(fā)展, 單片集成的LDO 線性穩(wěn)壓器的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛[1]。對(duì)于片內(nèi)的LDO,最擔(dān)心的是寄生電容過(guò)大引起不穩(wěn)定,論文針對(duì)片內(nèi)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的這款LDO,能保證在uF 級(jí)別的寄生電容范圍內(nèi)都可以正常工作,畢竟寄生電容再大也不至于是μF 級(jí)別的。功耗是LDO 線性穩(wěn)壓器的重要指標(biāo)之一,一般的LDO 功耗都在幾十μA 以上,例如文獻(xiàn)[2]中電路的靜態(tài)電流為38μA,文獻(xiàn)[3]中靜態(tài)功耗高達(dá)65μA, 而本文的靜態(tài)功耗做到10μA 左右,不僅功耗低,本文中第二級(jí)靠電阻的電流關(guān)系提供了一個(gè)小增益級(jí),并且提高了整個(gè)LDO的帶寬。

 2 LDO 電路組成原理與關(guān)鍵模塊設(shè)計(jì)

  2.1 電路基本工作原理

  圖1 是LDO 線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)框圖, 由下面幾個(gè)部分組成:基準(zhǔn)電壓源(Vref)、誤差放大器、同相放大器、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)、調(diào)整管等。其中基準(zhǔn)電壓源輸出參考電壓Vref, 要求它高, 溫漂小。誤差放大器將輸出反饋回來(lái)的電壓與基準(zhǔn)電壓Vref 進(jìn)行比較, 并放大其差值,其經(jīng)過(guò)同相放大器來(lái)控制調(diào)整功率管的狀態(tài), 因而使輸出穩(wěn)定。在這里C1 是前饋電容,可以提高負(fù)載調(diào)整率,并增加了一個(gè)左零點(diǎn)補(bǔ)償,Cff提供一個(gè)零點(diǎn)補(bǔ)償。級(jí)放大器就是一個(gè)差分對(duì),和大多數(shù)誤差放大器結(jié)構(gòu)一樣,第二級(jí)為同相放大級(jí),靠電阻的電流關(guān)系提供一個(gè)小增益級(jí),并控制帶寬。相對(duì)于普通結(jié)構(gòu)而言的,如果靠運(yùn)放直接驅(qū)動(dòng)功率管,那帶寬就被功率管的寄生電容和運(yùn)放輸出阻抗和增益決定了,而這個(gè)結(jié)構(gòu)的增益和輸出阻抗,相比運(yùn)放小很多,帶寬自然就提高很多。表1 為該LDO 的主要設(shè)計(jì)參數(shù)和性能指標(biāo)。

圖1 LDO 線性穩(wěn)壓器結(jié)構(gòu)示意圖

圖1 LDO 線性穩(wěn)壓器結(jié)構(gòu)示意圖

表1 LDO 的設(shè)計(jì)參數(shù)和性能指標(biāo)

表1 LDO 的設(shè)計(jì)參數(shù)和性能指標(biāo)

  2.2 電路組成與設(shè)計(jì)

  (1)調(diào)整管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):MOS 型線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管是電壓驅(qū)動(dòng)的, 能大大降低器件消耗的靜態(tài)電流, 而且其較小的導(dǎo)通阻抗使得漏失電壓也比較低,從而提高了電源的轉(zhuǎn)換效率[4]。根據(jù)調(diào)整管的平方率關(guān)系式以及設(shè)計(jì)指標(biāo)Vdropout ≈ 200mV,可以計(jì)算出調(diào)整管的寬長(zhǎng)比, 結(jié)合調(diào)整管的柵極寄生電容以及工藝的要求,在重載情況下考慮調(diào)整管需工作在線性區(qū), 將調(diào)整管的寬長(zhǎng)設(shè)計(jì)為:W=6000μm,L=0.5μm。

 ?。?)電阻R1 與R2 選擇:輸出電壓由反饋網(wǎng)絡(luò)決定,根據(jù)VOUT =VREF[(R1+R2)/R1],當(dāng)選定的VREF=1.25V,R1 = 625KΩ,那么R2 = 625KΩ。

 2.3 誤差放大器(EA)設(shè)計(jì)

 為保證低功耗的前提下I1設(shè)為5μA,I2設(shè)為3μA,在小的偏置電流以及較大的負(fù)載的情況下為了保證能得到不小于25dB 的增益,把RF設(shè)計(jì)為500K。由于同相放大器的增益隨負(fù)載的增加而減小,在設(shè)計(jì)中需要適當(dāng)增加偏置電流I1 和增加RF的值[7]。而帶寬受M2 的跨導(dǎo)和調(diào)整管的W/L 的影響,需要增加M2 的W/L 以及偏置電流I2。圖中M1 的寬長(zhǎng)比為4/1, 這里取W1=30μm,L1=3μm,M2 的寬長(zhǎng)比為110/1,取W2=110μm,L2=1μm。仿真結(jié)果如圖5 所示。

圖5 同相放大器的增益

圖5 同相放大器的增益

圖5 同相放大器的增益

  3 LDO 整體仿真結(jié)果與討論

  我們基于HHNEC 0.35um BCD 工藝下,采用cadence 和Hspice 仿真軟件對(duì)整體電路做仿真,如圖6 所示為L(zhǎng)DO 環(huán)路穩(wěn)定性仿真曲線。

(a)負(fù)載電流為50mA 仿真曲線

(a)負(fù)載電流為50mA 仿真曲線本文來(lái)自:深圳市中輝盛電子有限公司

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