晶體管低頻放大器
出處:yongzong 發(fā)布于:2007-11-16 00:00:00 | 2435 次閱讀
| 晶體管低頻放大器主要是用來放大低頻小信號電壓的放大器,頻率從幾十赫到一百千赫左右 |
| 一、晶體管的偏置電路 |
| 為了使放大器獲得線性的放大作用,晶體管不僅須有一個合適的靜態(tài)工作點,而且必須使工作點穩(wěn)定。由于溫度對管子參數(shù)β、Icbo、Ube的影響,最終都集中反映在Ic的變化上,為了消除這種影響,我們通過晶體管偏置的直流或電壓的負反饋作用使靜態(tài)工作點穩(wěn)定下來,常見的兩種偏置電路及工作點穩(wěn)定原理如下表 |
| 表一、 | 晶體管放大器的偏置電路 | ||||||||||||||||||
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| 二、放大器的三種電路形式 |
| 放大器是一種三端電路,其中必有一個端是輸入和輸出的共同“地”端,如果這個共“地”端接于發(fā)射極的,稱為共射電路,接于集電極的,稱為共集電路,接于基極的,稱為共基電路,這三種有不同的性能,見下表 |
三種電路形式及其性能比較 | ||||||||||||||||||||||||
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| 三、圖解法 |
| 所謂圖解法,就是利用晶體管輸入和輸出的特性曲線,通過作圖來分析放大器性能的方法,圖解法能直觀和全面地表明三極管放大的工作過程,并能計算放大器的某些性能指標,現(xiàn)舉例子來說明圖解法的圖解過程, 例:已知下圖電路中的參數(shù)及輸入電壓Ui=15sinωt(毫伏)要求用圖解法確定電路的靜態(tài)工作點參數(shù)Ibq、Icq、Iceq,并計算電壓和電流的放大倍數(shù)Ku、Kio。 |
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圖解法步驟 |
| 四、等效電路法與h參數(shù) |
| 1、簡化的h參數(shù)等效電路 “微變”是指晶體管的Ib、Ube、Ic、Uce在靜態(tài)工作點Q 附近只作微量的變化。其中Ib、Ube為晶體管的輸入變量,面Ic、Uce為輸出變量。若把晶體管看作含受控源的二端口網(wǎng)絡(luò),就可以用四個h參數(shù)模擬晶體管的物理結(jié)構(gòu),從而得出晶體管的h參數(shù)等效電路如圖7-1-4所示h的定義如下: hie=△Ube/△Ib -------△Uce=0,--hfe=△Ic/△Ib -----△Uce=0 hre=△Ube/△Uce ------△Ib=0, --hoe=△Ic/△Uce ----△Ib=O 幾個參數(shù)有各自的物理意義:hie是輸出端短路時的輸入電阻,也就是輸入特性曲線斜率的倒數(shù);hfe是輸出端短路的電流放大系數(shù),即β(共發(fā)射極)或a(共基極);hre是輸入端開路的內(nèi)反饋系數(shù),它表示輸出電壓對輸入電壓影響的程度;hoe是輸入端開路時的輸出電導(dǎo),即為輸出特性曲線的斜率 由于晶體管工作在低頻時,hre和hoe兩個參數(shù)小到可以忽略不計,通常用hie和hre兩個參數(shù)模擬低頻晶體管電路即可,這叫做簡化后的h參數(shù)等效電路,如圖7-1-3所示,圖中的rbe、β即上述的hie、hfe.電流放大系數(shù)β(或hfe)可以從輸出特性曲線中求出或通過儀器測試出來,輸入電阻rbe由下式計算: rbe=rb+(β+1)26(毫伏)/Ie(毫安) 式中:Rb為基區(qū)電阻,約為幾百歐姆,Ie為靜態(tài)發(fā)射極電流 求晶體管放大器的微變等效電路的方法如下:(1)晶體管以圖7-1-3示出的等效模擬型代替;(2)所有直流電源、隔直電容,旁路電容都看作短路;(3)其它元件按原來相對位置畫出, 利用等效電路可以求取放大器的放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及分析放大器的頻率特性。 |
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