晶體管的伏安特性曲線

出處：西門吹血發(fā)布于：2011-07-13 10:28:45 | 2403 次閱讀

晶體管的伏安特性曲線

　　在較低正向電壓下，只有很小的漏電流Ifx。當(dāng)正向電壓很高時，反偏的J2擊穿，這時的正向電壓叫做正向轉(zhuǎn)折電壓Upo。晶閘管達(dá)到飽和時，陽陰極電壓立刻下降到正向?qū)妷篣p?，F(xiàn)在考慮反向特性。當(dāng)晶閘管的陽陰極間加反向電壓時。有一小的反向漏電流IRx流動。反向電壓增加時，IRx基本保持不變。當(dāng)反向電壓增加到某一數(shù)值時，J1和J3雪崩擊穿，反向電流劇增，這時所對應(yīng)的電壓叫做反向擊穿電壓UbR。從圖l-4中也可看出，在正向特性中。當(dāng)Ig>o時，晶閘管容易導(dǎo)通，正向轉(zhuǎn)折電壓降愈大，正向轉(zhuǎn)折電壓愈低。正向特性曲線中，導(dǎo)通之前的區(qū)域叫正向阻斷區(qū)。

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