VMOS管的技術(shù)指標(biāo)，通常用極限參數(shù)、靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)來表示。
　　（1）極限參數(shù)
　　1、漏極擊穿電壓BUDS---它決定了VMOS管的工作電壓，以防止器件進(jìn)入雪崩區(qū)，因過熱而損壞。
　　2、柵漏擊穿電壓BUDG---為防止柵漏電壓過高可能損壞金屬柵極與器件本體間的隔離層而設(shè)定。
　　3、柵源擊穿電壓BUGS---柵源電壓超過該值時，會在柵源保護(hù)二極管中產(chǎn)生雪崩電流，因過熱而損壞器件。
　　4、連續(xù)漏極電流ID---它表征VMOS管的電流容量。
　　5、脈沖漏極電流ID---在數(shù)值上，該電流大于連續(xù)漏極電流，其具體數(shù)值與測試信號的脈沖寬度及占空比有關(guān)。
　　為表明以上極限參數(shù)的測試條件并對各極限參數(shù)有個定量的認(rèn)識，表1-3列出一種常用VMOS管VN5001的有關(guān)數(shù)據(jù)。

　?。?）靜態(tài)參數(shù)
　　1、零柵漏極電流ID---柵源電壓為零時的漏極電流。
　　2、導(dǎo)通電流ID(on)---當(dāng)柵源電壓為10V且漏源電壓為規(guī)定值時的漏極電流。
　　3、開啟電壓UGS(th)---又叫閾值電壓，其數(shù)使由轉(zhuǎn)移特性與橫軸的交點(diǎn)來確定。