根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，管分為兩大類(lèi)：
　　VMOS管，即垂直導(dǎo)電V形槽MOS管；
　　VDMOS管，即垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS管。
　　它們的結(jié)構(gòu)分別如圖1-15（a）、（b） 所示，其中（a）為VVMOS結(jié)構(gòu)剖面圖，（b）為VDMOS結(jié)構(gòu)剖面圖。下面以VVMOS結(jié)構(gòu)為例，說(shuō)明一下VMOS管的構(gòu)成。

　　獲得垂直溝道的一種方法是形成穿入硅表面的V形槽，開(kāi)始時(shí)在N+襯底上生成一個(gè)N-外延
　　層，在此外延層內(nèi)進(jìn)行摻雜頗輕的P型溝道體擴(kuò)散，隨后是N+源區(qū)擴(kuò)散。然后刻蝕出V 形槽，并使它延伸進(jìn)入到N-外延層內(nèi)。生長(zhǎng)氧化掩蓋層。再通過(guò)金屬化提供柵極及其它所需的連接。包括N+源區(qū)與P溝道體之間的連接。
　　按導(dǎo)電溝道劃分，VMOS管可分為N溝道型和P溝道型兩種，可與雙極晶體管的npn型和pnp型相對(duì)應(yīng)。
　　作為一個(gè)例子，圖1-16 畫(huà)出N溝道增強(qiáng)型VMOS管的輸出特性曲線(xiàn)。從形狀上看，它與雙極晶體管的輸出特性相似。但內(nèi)含不一樣，這是由VMOS管的基本特性決定的。VMOS管輸出特性中的每一條曲線(xiàn)是以柵源電壓Ugs為參變量畫(huà)出的，面雙極晶體管輸出特性的每一條曲線(xiàn)是以基極電流Ib為參變量畫(huà)出的。