S／R脈沖即置位／復(fù)位脈沖，其幅度取決于所用MR傳感器的測量靈敏度。例如，由HMC1001／1002構(gòu)成的特斯拉計，當(dāng)最小可測磁通密度為50nT時，要求脈沖電流的幅度不低于3A；最小可測10nT時，脈沖電流幅度不得小于4A。測量靈敏度愈高，脈沖電流幅度也愈高。利用微處理器產(chǎn)生S／R脈沖的電路如圖所示。該電路采用+16～+20V電源，可產(chǎn)生4A以上的脈沖電流。電路中使用一個HEXFET驅(qū)動器IIRF7105，內(nèi)含互補型N溝道、P溝道功率場效應(yīng)管(、V1、V2)。由μP發(fā)出的復(fù)位信號直接送至V2的柵極，置位信號則經(jīng)過22N3904型NPN晶體管接V1的柵極。V1和V2交替地通、斷。輸出電流通過微分電容C3后，可得到如圖(b)所示的S／R信號，送至HMC1001／1002的S／R+端，S／R-端應(yīng)接地。產(chǎn)生S／R脈沖的電路必須靠近MR傳感器并且要與電源和地接線良好。

產(chǎn)生S／R(置位/復(fù)位)脈沖電路

　　脈沖（pulse）是一個物理量在短持續(xù)時間內(nèi)突變后迅速回到其初始狀態(tài)的過程。