IGBT的門極驅動電路密切地關系到其靜態(tài)和動態(tài)特性。門極電路的正偏壓UGS、負偏壓－UGS和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)電壓，開關時間，開關損耗，承受短路能力以及dv/dt等參數(shù)均有不同程度的影響。
　　設計驅動電路的一些注意事項如下：
　　1）連線長度應盡量減少與IGBT模塊各管腳的連線長度，尤其是門極引線的長度。如果實在無法減少其長度，可以用小磁環(huán)或一個小電阻與門極串聯(lián)。這兩個元件應盡量靠近模塊門極，它們可以消除寄生震蕩。
　　2）精心布局器件盡量作到完全對稱，連線盡量同長度并且盡量減短加粗，盡可能用多股絞線。
　　3）泄放電阻在IGBT的門極與源極之間，應加11kΩ的泄放電阻。
　　4）正偏電壓UGS的影響當UGS增加時，開通時間縮短，因而開通損耗減少，UGS的增加雖然對減小通態(tài)電壓和開通損耗有利，但是UGS不能隨意增加，當增加到一定程度后，對IGBT的負載短路能力以及dv/dt有不利影響，本電路采用UGS=15V。
　　5）負偏電壓－UGS的影響負偏電壓是很重要的門極驅動條件，它直接影響IGBT的可靠運行。過高的dv/dt會產(chǎn)生較大的位移電流，使門極源極之間的電壓上升，并超過IGBT的門極閾值電壓，于是產(chǎn)生一個較大的漏極脈沖浪涌電流，過大的漏極浪涌電流會使IGBT發(fā)生不可控的擎住現(xiàn)象，為了避免IGBT發(fā)生這種誤觸發(fā)，可在門極加反向偏置電壓，本電路加－UGS=－12V。
　　6）門極電阻的影響門極電阻選用的原則為，在開關損耗不大的情況下，應選用較大的門極電阻，但當門極電阻增加時，IGBT的開通與關斷時間增加，進而使每脈沖的開通能耗EON和關斷能耗EOFF也增加，所以綜合考慮本電路采用51Ω。

功率變換部分電路圖