在此情形下，功率模塊在短路發(fā)生前已經(jīng)處于導(dǎo)通狀態(tài)。和短路Ⅱ情形相比較，功率模塊所受的沖擊遠(yuǎn)為甚之。
　　為了解釋這個(gè)過程，圖4顯示了短路Ⅱ的等效電路圖及其定性的特性曲線。

短路Ⅱ的等效電路和原理特征電路

　　一旦短路發(fā)生，集電極電流迅速上升，其上升速度由直流母線電壓VDC和短路回路中的電感所決定。
　　在時(shí)間段1內(nèi)，IGBT脫離飽和區(qū)。集電極一發(fā)射極電壓的快速變化將通過柵極 集電極電容產(chǎn)生一個(gè)位移電流，該位移電流又引起柵極一發(fā)射極電壓升高，具結(jié)果是出現(xiàn)一個(gè)動(dòng)態(tài)的短路峰值電流IC/SCM。
　　在IGBT完全脫離飽和區(qū)后，短路電流趨于其穩(wěn)態(tài)值(時(shí)間段2)。這期間，回路的寄生電感將感應(yīng)出一個(gè)電壓，其表現(xiàn)為IGBT的過電壓。
　　在短路電流穩(wěn)定后(時(shí)間段3)，短路電流被關(guān)斷。此時(shí)換流回路中的電感Lx將在IGBT上再次感應(yīng)一個(gè)過電壓(時(shí)間段4)。
　　IGBT在短路過程中所感應(yīng)的過電壓可能會(huì)是其正常運(yùn)行時(shí)的數(shù)倍，