ZXSC310的典型應(yīng)用電路圖
出處:gengbayi 發(fā)布于:2011-02-15 00:00:00 | 6035 次閱讀
如圖所示電路提供了一種驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的解決方案,即利用工作在“降壓”模式的標(biāo)準(zhǔn)升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED。這種解決方案的效率 高達(dá)96%,與效率只有85%的標(biāo)準(zhǔn)方案相比,它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)MOSFET(VT1)導(dǎo)通時(shí),電流從輸入流過白光LED、并聯(lián)濾波電容器(C2)、電感(L1)、VT,及檢測電阻(R1),其電流值由檢測電阻值 和ZXSC310的檢測電壓閾值(通常為19mV)所決定。
一旦電流達(dá)到所設(shè)定的相應(yīng)峰值電流,MOSFET就關(guān)斷并保持1.7ms。在這個(gè)時(shí)間內(nèi),儲存在電感內(nèi)的電能通過肖特基二極管轉(zhuǎn)移到白光LED, 從而保持白光LED的亮度。
該電路對輸入電壓和串聯(lián)白光LED的數(shù)量沒有限制,為適用更高的輸入電壓,必須適當(dāng)?shù)卣{(diào)整C1,R2,VT1,C2和VT1的值以適應(yīng)輸入電壓的變 化。對于更大數(shù)目的白光LED,最小輸入電壓必須大于串聯(lián)白光LED的正向電壓降。
通過采用降壓模式的升壓變換器方案,可以用一個(gè)低端N溝道MOSFET替代典型降壓型變換器中常見的高端P溝道MOSFET。N溝道MOSFET器件盹固 有導(dǎo)通損耗比尺寸相同的P溝道MOSFET器件的導(dǎo)通損耗低3倍。當(dāng)然,在典型的降壓變換器電路中也可以使用N溝道MOSFET,但需要額外自舉電路 對它進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。低端開關(guān)的峰值檢測電流也可以地為參考。
與高端電流檢測相比,它可提高并減小噪聲。

圖 ZXSC310的典型應(yīng)用電路
通過在間斷工作模式下采用升壓方法,控制回路可工作在電流模式下,并為變換器提供周期性控制,這使得該變換器從根本上保持了穩(wěn)定。與電壓模式的降壓變換器相比,設(shè)計(jì)可以得到簡化。
上述方案的另外一個(gè)特點(diǎn)是:岡為當(dāng)電感處于充電狀態(tài)時(shí)電流流過白光LED,所以白光LED電流的峰值均將減小,這樣在相同白光LED亮度下可將峰值電流設(shè)置得更小,從而進(jìn)一步改善效率、可靠性及輸入噪聲性能。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://m.58mhw.cn,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- LM317:高效構(gòu)建電壓源及電流源電路方案1
- 如何使用多相轉(zhuǎn)換器平衡電流2
- LTC4365 如何實(shí)現(xiàn)敏感電路過壓與反接保護(hù)3
- MOS 管邏輯電路五種門電路特性4
- 點(diǎn)動(dòng)正轉(zhuǎn)控制電路簡介5
- 單鍵開關(guān)機(jī)電路與輕觸開關(guān)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)解析6
- 二極管的恒壓降模型7
- MC34063電路計(jì)算公式及應(yīng)用講解8
- 3.3V - 1.8V 電平雙向轉(zhuǎn)換:多場景配置及獨(dú)特優(yōu)勢剖析9
- 液晶電視機(jī)電路結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵要點(diǎn)10














