電壓驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的原理電路圖
出處:sonive 發(fā)布于:2010-11-22 00:00:00 | 3499 次閱讀
用電流互感器二次繞組感應(yīng)電壓驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的原理電路如圖所示。電流首先通過MOSFET寄生二極管流通,于是,電流互感器二次繞組上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,此電壓超過門限電壓時(shí)對(duì)MOSFET柵極充電,電流通過MOSFET溝道流通。開始流經(jīng)寄生二極管的電流產(chǎn)生約IV的壓降,但流經(jīng)MOSFET溝道時(shí),只有其導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的較低壓降,無其他電壓降,即進(jìn)行同步整流。圖中的原理電路不能原封不動(dòng)地用于高速開關(guān)整流,原因有二:其一,電流波形近似方波,柵極高速充電電流大部分流經(jīng)寄生二極管,失去導(dǎo)通電阻產(chǎn)生低壓降的優(yōu)越性;其二,開關(guān)器件由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止時(shí),柵極放電若有延時(shí),延時(shí)部分的電流為反向電流,產(chǎn)生較大損耗。為此,需要增設(shè)MOSFET柵極高速充放電的驅(qū)動(dòng)電路。電流互感器的二次側(cè)能取出較高的電壓,但其阻抗很高,獲得的電流很小,因此,需在互感器與MOSFET柵極之間增設(shè)電流放大器,從輸出電壓中獲取功率供給電流放大器。

圖 電壓驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的原理電路圖
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