早期的無刷直流電機(jī)根據(jù)容量不同，可分為晶體管驅(qū)動(dòng)電機(jī)和晶閘管驅(qū)動(dòng)電機(jī)兩種。一般低壓小容量的無換向器電機(jī)采用晶體管電機(jī)的方案；而容量較大的，通常都是晶閘管電機(jī)。由于晶體管和晶閘管不同，它的集電極負(fù)載電流和基極控制電流之間是直接聯(lián)系的，要關(guān)斷晶體管，只要把基極電流下降到零，就能使集電極電流消失，因此在晶體管電機(jī)中不存在逆變器的換相問題，這不但可以簡化電機(jī)的控制電路，而且能夠顯著改善電機(jī)的性能。一般在7。5kW以下的電機(jī)中多用晶體管，而在10kW以上的電機(jī)里，往往采用晶閘管。當(dāng)然這個(gè)界限也是相對的，隨著大功率晶體管生產(chǎn)水平的提高，這個(gè)界限也會(huì)有所提高。
 
　　雙極型大功率晶體管（GTR或稱BJT），是一種冰晶球結(jié)構(gòu)的晶體管，其工作結(jié)溫高達(dá)200℃，在環(huán)境條件極端惡劣的航天領(lǐng)域，具有其他功率器件無法替代的優(yōu)勢。此外，GTR在高電壓、大電流下較ICBT和MOSFET具有更低的通態(tài)飽和壓降（在10A負(fù)載電流下，通態(tài)飽和壓降小于0.2V），可以限度地提高變換器的效率。
 
　　大功率晶體管具有關(guān)斷反向電壓小的特點(diǎn)，開關(guān)噪聲遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于功率MOS-FET，并且工作在通態(tài)時(shí)處于飽和狀態(tài)，GTR的功率損耗很小。但是大功率晶體管的單管放大倍數(shù)小，為了使其工作在飽和狀態(tài)，必須增大基極驅(qū)動(dòng)電流，增加驅(qū)動(dòng)功耗；同時(shí)，由于放大倍數(shù)小，使其容易失去飽和而工作在放大區(qū)，使得大功率晶體管的功率損耗顯著增大，并且縮小了安全運(yùn)行范圍。為此需采用了達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，但常規(guī)的達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)通態(tài)下極易深度飽和，關(guān)斷時(shí)存儲時(shí)間長、關(guān)斷損耗大，給電機(jī)換向帶來較大影響。
 
　　本節(jié)以三相三狀態(tài)永磁無刷直流電機(jī)晶體管放大電路為例，介紹功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
 
　　通過實(shí)驗(yàn)和分析計(jì)算，本書研究并應(yīng)用了一種改進(jìn)的采用兩只NPN型晶體管構(gòu)成的達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)電路，晶體管VT1的型號為3DK10E，晶體管VT2的型號為3DK109F，達(dá)林頓電路如圖所示。