輸出10OW的低頻MOS FET功率放大器電路圖
出處:流氓兔子 發(fā)布于:2010-03-04 00:00:00 | 5271 次閱讀
如圖所示,是輸出10OW的低頻MOS FET功率放大器電路。電路的輸出功率為100~150W,在輸出級(jí)與激勵(lì)級(jí)采用功率MOS FET,目的是改善頻率特性。用MOS FET(VT5~VT8)構(gòu)成的電流鏡將差動(dòng)輸出(VT1~VT2)變換為單端輸出。VT9產(chǎn)生輸出晶體管的柵極偏壓,用RP1設(shè)定該偏壓,使無信號(hào)時(shí)輸出晶體管的輸出電流約為0.1A。VT10和VT11構(gòu)成過流保護(hù)電路,輸出晶體管VT12~VT15的源極接的0.51Ω電阻用于檢測輸出電流。輸出級(jí)采用功率MOS FET,當(dāng)接感性負(fù)載時(shí)易產(chǎn)生振蕩,為此,在其柵極串聯(lián)的RG選用幾十Ω~1kΩ的電阻,R1和C2用于改善感性負(fù)載時(shí)穩(wěn)定性,其參數(shù)也與振蕩有關(guān),因此,要根據(jù)需要改變其參數(shù)。

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