MOSFET高頻放大電路圖
出處：ewolf 發(fā)布于：2009-12-03 00:00:00 | 6200 次閱讀
單閘極MOS FET 前置放大器（１）ＶＨＦ高頻放大電路以往都是以雙極電晶體（Bipolar Transistor）為主流，但是現(xiàn)在大都以ＦＥＴ取代之。圖２－１便是其代表性電路，２ＳＫ２４１（東芝）系ＶＨＦ用的ＦＥＴ，功率增益可達２８ｄＢ（＠１００ＭＨｚ），是最適於ＶＨＦ接收器的高頻放大級使用的。由於閘極的動作點是零偏壓（Zero Bias），所以電路的結(jié)構(gòu)相當(dāng)簡單，電路的全部元件共有六個，配合表２－１所示之電感及電容就能適用於各種頻率的高頻放大電路。泄極電流為９ｍＡ，在電源電壓為６～１２Ｖ之范圍內(nèi)，泄極電流都保持一定。
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