在如圖1所示的功率MOSFET的半橋、全橋電路中，高壓側(cè)開關(guān)如何變化成為了一個(gè)要點(diǎn)。

　　圖1 電功率MOSFET組成的輸出電路的構(gòu)成

　　一般的，要驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)的元件，必需門極一源極間絕緣。如果是低速開關(guān)，可用圖2所示的由光耦合器構(gòu)成的專用驅(qū)動(dòng)IC，高壓側(cè)的源極端子使高頻電壓重疊，噪聲很弱。

　　圖2 由光電耦合器組成的功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路

　　因此，現(xiàn)實(shí)中有很多使用脈沖變壓器的絕緣方式，但要想使用脈沖變壓器，電路上也要花點(diǎn)功夫。

　　圖3是使用脈沖變壓器的絕緣驅(qū)動(dòng)電路的例子。這里的脈沖變壓器是手工制作的，由于使用變壓器的關(guān)系，不能進(jìn)行直流傳送，但適用于高速開關(guān)用途。

　　圖3 使用脈動(dòng)變壓器的絕緣驅(qū)動(dòng)電路

　　原理上，ON時(shí)的電流從脈沖變壓器供給，功率MOSFET的開關(guān)特性被變壓器的特性左右；OFF時(shí)將PNP晶體管自身門極上的充電電荷進(jìn)行放電。

　　圖4是此電路的開關(guān)波形。到門極導(dǎo)通(約4V)時(shí)能夠高速充電，關(guān)閉延遲也很小。

　　圖4 絕緣驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)特性