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由MOSFET等構(gòu)成的自激式降壓型斬波器電路圖

出處:hzcoffee 發(fā)布于:2009-03-09 00:00:00 | 3680 次閱讀


  如圖是由MOSFET等構(gòu)成的自激式降壓型斬波器電路。A1加正反饋進行振蕩,其振蕩頻率由扼流圈L1和正反饋電阻R1決定。當振蕩頻率高到2OOkHZ時,扼流圈和濾波電容可小型化,輸出變動的響應(yīng)特性也可得到改善。開關(guān)元件VT1采用功率MOSFET管,當VT1截止時,扼流圈L1感應(yīng)的反向電壓通過續(xù)流二極管VD5供給負載。輸出電壓通過R2加到A1的同相輸入端 ,并與加在其反相輸大端的5V基準電壓進行比較,A1輸出通過VT2控制VT1導通或截止。當輸出電壓的峰值超過6V時,過電壓檢測電路動作,使VT1可靠截止。

MOSFET降壓型斬波器電路圖



  VT1導通時,柵極電壓要比28V電源電壓高1OV。VT1截止時,28V電源通過VD4、R3對電容C1進行充電。VT1導通,源極電壓隨之升高,C1釋放的電荷通過R4對柵極進行充電而得到足夠的柵極電壓。C1的容量要為VT1輸入電容的10倍,這里選用0.1μF。VD4是用于防止C1電荷泄漏到電源端的二極管,由VT3、C2、R5、VD6、VD7和R6構(gòu)成軟啟動電路。在VT3的放大期間,VT1柵極電壓逐漸升高而使輸出電壓慢慢上升,上升到額定輸出電壓時VT3截止,從而達到軟啟動的目的。
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