本例介紹的金屬探測(cè)器，可用來探測(cè)含有較高導(dǎo)磁性物質(zhì)的金屬物體。
　　電路工作原理
　　該金屬探測(cè)器電路由電源電路、正弦波振蕩器、PLL鎖相環(huán)電路和混合放大電路組成，如圖8-68所示。

　　電源電路由電池GBl、GB2、濾波電容器Cl、C2和電源開關(guān)S(Sa、Sb)組成。
　　正弦波振蕩器電路由晶體管Vl、探測(cè)線圈L、電容器C3-C5和電阻器Rl、R2組成。
　　PLL鎖相環(huán)電路由雙時(shí)基集成電路IC和電阻器R3、電位器RPI、電容器C6-C8組成。
　　混合放大電路由晶體管V2、V3、電阻器R4-R6、電位器RP2和電流表PA組成。
　　接通電源開關(guān)S后，正弦波振蕩器和PLL鎖相環(huán)電路通電工作。在L未檢測(cè)到金屬物體時(shí)，正弦波振蕩器的工作頻率與IC內(nèi)部VCO(壓控振蕩器)的中心頻率 (75kHz)相同，IC的6腳和7腳輸出電壓相等，電流表PA無指示。當(dāng)L探測(cè)到含有磁性物質(zhì)的金屬物體時(shí)，正弦波振蕩器出現(xiàn)失諧 (頻率偏移)，使IC的6腳和7腳之司產(chǎn)生電壓差，PA的指針出現(xiàn)偏轉(zhuǎn)，指示頻率的變化量。
　　調(diào)節(jié)RPI的阻值，可改變VCO的工作頻率。
　　調(diào)節(jié)RP2的阻值，使PA在L未檢測(cè)到金屬物體時(shí)指示為0。
　　元器件選擇
　　Rl-R6選用1/4W或l/8W碳膜電阻器。
　　RPl選用多圈精密電位器;RP2選用單圈普通合成膜電位器。
　　Cl和C2均選用耐壓值為16V的鋁電解電容器;C3-C5和C8均選用獨(dú)石電容器;C6和C7均選用高頻瓷介電容器。
　　Vl選用BC547B或S9018型NPN晶體管;V2和V3選用BC557B或C8550型硅PNP晶體管。
　　IC選用NE555雙時(shí)基集成電路。
　　L用φ0·49mm的漆包線在φ1Ocm的塑料骨架上繞40匝制成。
　　GBl和GB2均選用9V積疊電池。
　　PA選用土5OμA的中零電流表。