記憶增強(qiáng)器一

出處：tyrone3000 發(fā)布于：2008-09-19 00:00:00 | 2916 次閱讀

　　本例介紹一款采用CD4069數(shù)字集成電路制作的記憶增強(qiáng)器，它除具有記憶增強(qiáng)和助聽功能外，還具有催眠作用。
　　電路工作原理
　　該記憶增強(qiáng)器電路由低頻振蕩器、負(fù)反饋放大器和傳聲器BM、轉(zhuǎn)換開關(guān)S、耳機(jī)插座XS等組成，如圖9-75所示。

　　低頻振蕩器由六非門集成電路IC(Dl-D6)內(nèi)部的非門D5、D6和電阻器R3、電容器C2組成。
　　負(fù)反饋放大器由IC內(nèi)Dl-D4和電阻器R2組成。
　　作為助聽器或記憶增強(qiáng)器使用時(shí)，可將S置于"1"位置，此時(shí)BM將拾取的聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)后，再經(jīng)S、Cl和Rl送人負(fù)反饋放大器進(jìn)行高增益放大，放大后的音頻信號(hào)通過外接耳機(jī)還原出聲音。
　　作為催眠器使用時(shí)，可將S置于"2"位置。此時(shí)低頻振蕩器產(chǎn)生的低頻振蕩信號(hào)經(jīng)負(fù)反饋放大器放大后，通過外接耳機(jī)發(fā)出"塔、塔"的拍點(diǎn)聲，從而起到催眠作用。
　　元器件選擇
　　Rl-R4選用1/8W碳膜電阻器或金屬膜電阻器。
　　Cl和C2均選用獨(dú)石電容器。
　　IC選用CD4069或CC4069、MCl4069型六非門集成電路。
　　BM選用駐極體傳聲器。
　　GB選用9V疊層電池。
　　S選用單極雙位撥動(dòng)開關(guān)。

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