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DN3545N3-G

更新時間:2025-05-20 07:37:14

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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DN3545N3-G 概述

DN3545N3-G是Diodes公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用SOT-23封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于各種功率管理應用。其最大漏源電壓為30V，在柵極驅動電壓為4.5V時，連續(xù)漏電流可達3.8A。典型應用場景包括負載開關、電源管理中的DC-DC轉換器以及電池供電設備的功率控制電路。由于其小尺寸封裝和良好的電氣性能，非常適合用于便攜式電子產(chǎn)品中如智能手機和平板電腦等設備內(nèi)部的電源管理和分配網(wǎng)絡。在實際應用中應注意合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計滿足要求以避免過熱損壞。

DN3545N3-G 規(guī)格參數(shù)

制造商
Supertex
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
450 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
136 mA
電阻汲極/源極 RDS（導通）
20 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-92
封裝
Bulk
下降時間
30 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
0.74 W
上升時間
30 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
典型關閉延遲時間
30 ns

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