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DMP210DUFB4-7B

更新時間:2025-07-18 04:34:25

供應商
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DMP210DUFB4-7B 概述

DMP210DUFB4-7B是Diodes Incorporated生產(chǎn)的一款MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用DFN1006封裝，具有超小尺寸的特點，適用于對空間要求嚴格的電路設計。該型號的MOSFET主要用于開關應用，如電源管理、負載切換等。在電池供電設備中，它能夠高效地控制電流的通斷，從而延長電池使用壽命并提高系統(tǒng)效率。其低導通電阻特性有助于減少功率損耗，在低壓電路環(huán)境中表現(xiàn)尤為出色。當應用于手持設備或者可穿戴電子產(chǎn)品時，可以確保設備在緊湊布局下仍能保持高性能運行。設計人員在使用此MOSFET時應注意遵循推薦的焊盤設計和散熱要求以保證最佳性能。

DMP210DUFB4-7B 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
200mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
5 歐姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
175 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
X2-DFN1006-3
封裝/外殼
3-XFDFN

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廣東微爾科技有限公司

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DAS001

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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