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DMN2041L-7

更新時間:2025-06-27 19:50:08

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市粵鑫朋電子有限公司
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只做原廠原裝假一罰十

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低價出售原裝現貨可看貨假一罰十

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深圳市福啟達科技有限公司
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深圳市金嘉銳電子有限公司
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SOT233/2025+
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2000
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

深圳市得捷芯城科技有限公司
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50259
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深圳市海虹微電子有限公司
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10000
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深圳市歐昇科技有限公司
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DIODES INCORPORATED
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現代芯城（深圳）科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

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DMN2041L-7 概述

DM041L-7是由Diodes Incorporated生產的P溝道MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻特性，在節(jié)省空間的同時提供高效能表現。其最大漏源電壓為-20V，適合于多種低壓應用環(huán)境。典型應用場景包括負載開關、電源管理以及電池保護電路等便攜式設備中。在手持設備和消費類電子產品里，它常被用作高效功率控制元件。由于其緊湊的SOT-23封裝形式，非常適合對PCB空間有嚴格要求的設計。使用時應注意正確選擇柵極驅動電壓以確保完全開啟或關閉MOSFET，避免因部分導通導致的額外功耗。在設計電路時應充分考慮散熱措施，雖然該型號具備較好的熱性能，但在高負荷工作條件下仍需謹慎處理散熱問題。

DMN2041L-7 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫歐 @ 6A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 10V
功率 - 最大
780mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMN2041L-7DITR

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