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DMG8601UFG-7

更新時間:2025-07-03 14:00:12

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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深圳現(xiàn)貨只做原裝芯引力電子 https//www.xyl-mlcc

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深圳市科宇微電子有限公司
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提供配套服務，品質(zhì)優(yōu)越

深圳市海虹微電子有限公司
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DMG8601UFG-7 概述

DMG8601UFG-7是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的單N溝道MOSFET。該器件采用超小型的UFG封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于空間受限且需要高效功率管理的應用場景。典型應用包括智能手機、平板電腦和其他便攜式消費電子產(chǎn)品中的負載開關和電源管理電路。在實際應用中，DMG8601UFG-7可以用于實現(xiàn)高效能的直流-直流轉(zhuǎn)換器或低壓差穩(wěn)壓器(LDO)設計。其低柵極電荷（Qg）有助于降低驅(qū)動損耗，提升整體效率。使用時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓，確保MOSFET完全開啟以達到最低Rds(on)，同時要避免過高的Vgs導致器件損壞。設計PCB布局時需考慮散熱路徑，盡管封裝小巧，但良好的熱設計依然重要。

DMG8601UFG-7 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫歐 @ 6.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
143pF @ 10V
功率 - 最大
920mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
8-DFN3030（3x3）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
DMG8601UFG-7DITR

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DUMY

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