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CSD75205W1015

更新時間:2025-05-16 16:13:18

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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，提供配單服務

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CSD75205W1015外觀圖

CSD75205W1015

Texas Instruments FET - 陣列

MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA

封裝:6-UFBGA，DSBGA

CSD75205W1015 概述

CSD75205W1015是由Wolfspeed公司生產(chǎn)的一款碳化硅（SiC）MOSFET。該器件采用了先進的第三代平面技術(shù)，具有低導通電阻和高擊穿電壓特性。其最大漏源電壓為1.2kV，連續(xù)漏極電流能力在25°C時可達30A。它專為高壓高效功率轉(zhuǎn)換應用而設計，如電動汽車充電器、工業(yè)電源和太陽能逆變器等。由于其快速開關(guān)特性和低開關(guān)損耗，CSD75205W1015非常適合高頻應用場合。在實際應用中，建議采用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路以確?？煽块_關(guān)操作，并注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于電動汽車充電樁應用，可考慮將其用于PFC級或DC/DC轉(zhuǎn)換器部分，以提升系統(tǒng)效率并減少尺寸和重量。

CSD75205W1015 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
NexFET MOSFET Technology
視頻文件
NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
NexFET™
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
120 毫歐 @ 1A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
850mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
265pF @ 10V
功率 - 最大
750mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-UFBGA，DSBGA
供應商設備封裝
6-DSBGA（1x1.5）
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
296-25335-6

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廣東微爾科技有限公司

CSD75205W1015相關(guān)型號

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CSD75205W1015
CSD75202W15
CSD75204W15
CSD75208W1015
CSD75208W1015T
CSD75211W1723
C945

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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