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CSD17577Q3AT

更新時間:2025-05-17 20:27:07

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CSD17577Q3AT 概述

CSD17577Q3AT是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用小型的SOT-23封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于需要緊湊設(shè)計和高性能的應用場景。這款MOSFET廣泛應用于電源管理、負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其最大漏極電流可達4A，在柵極電壓為4.5V時，導通電阻僅為36mΩ，這使得它在電池供電設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色。此外，由于其快速的開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性，也適合用于無線充電電路以及電機驅(qū)動控制。在實際應用中，建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保長期穩(wěn)定工作，并注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，保證足夠的驅(qū)動電壓來降低導通電阻，提高系統(tǒng)效率。對于負載開關(guān)應用，可將其直接并聯(lián)于負載兩端，配合合適的控制信號實現(xiàn)精確的開關(guān)操作。

CSD17577Q3AT 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
3,900現(xiàn)貨10,000Factory
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
35A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.8 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2310 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），53W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-VSONP（3x3.3）
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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