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CEB13N10

更新時間:2025-05-16 07:59:35

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CEB13N10 概述

CEB13N10是Comchip Technology生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓可達(dá)100V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導(dǎo)通電阻僅為0.1Ω左右。這款MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動控制以及電源管理電路中。在電動工具、家用電器的電機驅(qū)動電路里表現(xiàn)尤為突出。此外，它也常被用于工業(yè)自動化設(shè)備中的開關(guān)電源部分。在實際應(yīng)用中，需注意柵極驅(qū)動電壓要足夠以確保完全開啟，避免因欠驅(qū)動導(dǎo)致過熱。設(shè)計PCB時，源極和漏極引腳走線應(yīng)盡量短而寬，減少寄生電感影響。對于高頻應(yīng)用場合，適當(dāng)添加?xùn)艠O電阻有助于抑制振蕩現(xiàn)象。

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CEB13N10L
CEB10N6
CEB1186
CEB1195
CEB12N6
CEB12P10
CEB13N5
CD4511BE

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