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BUZ901

更新時間:2025-07-04 04:26:21

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BUZ901 概述

BUZ901是由飛利浦半導體（現(xiàn)為恩智浦半導體）生產(chǎn)的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏極電流可達16A，柵源電壓為±20V。此款MOSFET廣泛應用于開關電源、直流-直流轉換器以及電機驅動電路中。在這些應用場景下，它能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)整體效率。使用時需注意控制柵極電壓以確保完全開啟或關閉，避免處于線性工作區(qū)導致發(fā)熱過大。設計電路時應考慮散熱措施，如添加足夠大的散熱片，特別是在大功率場合下使用時尤為重要。此外，在高頻應用中還需關注柵極電阻的選擇以優(yōu)化開關特性。

BUZ901 規(guī)格參數(shù)

典型輸入電容值@Vds
500 pF V @ 10
安裝類型
通孔
寬度
8.7mm
封裝類型
TO-3
尺寸
39 x 8.7 x 25mm
引腳數(shù)目
2
最大功率耗散
125 W
最大柵源電壓
±14 V
最大漏源電壓
200 V
最大連續(xù)漏極電流
8 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
39mm
高度
25mm

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