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BSC320N20NS3 G

更新時間:2025-07-06 06:53:53

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務(wù)

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市科芯源微電子有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費送樣

深圳市博偉奇電子有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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深圳市港博科電子有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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8PowerTDFN/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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BSC320N20NS3 G 概述

BSC320N20NS3 G是英飛凌(Infineon)公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為2.2mΩ。其最大漏源電壓(VDS)可達200V，適合高壓應(yīng)用場合。該MOSFET適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。其快速的開關(guān)速度和低開關(guān)損耗有助于提高系統(tǒng)效率，減少熱損耗。在使用時需要注意適當?shù)纳嵩O(shè)計以確保器件穩(wěn)定工作，特別是在大電流應(yīng)用場景下。建議在PCB布局時優(yōu)化走線，減小寄生電感對開關(guān)性能的影響。

BSC320N20NS3 G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC320N20NS3 G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
36A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
32 毫歐 @ 36A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 90µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2350pF @ 100V
功率 - 最大
125W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC320N20NS3 G-NDBSC320N20NS3 GTRSP000676410

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BSC320N20NS3 G
BSC320N20NS
BSC320N20NS3
BSC320N20NS3G
BSC340N08NS3 G
BSC340N08NS3G
BT137-600E

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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