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BDW63D

更新時間:2025-07-04 12:18:47

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BDW63D 概述

63D是一款由STMicroelectronics生產的NPN功率晶體管，適用于中等功率應用。它具有較高的集電極-發(fā)射極擊穿電壓（VCEO）約60V，能夠承受較大的電流，最大集電極電流（IC）可達8A。該晶體管采用TO-220封裝，便于散熱和安裝。 BDW63D常用于開關電源、直流-直流轉換器、電機驅動電路以及各種需要高開關速度和低飽和電壓的功率放大和控制電路中。其高電流增益（hFE）特性使得它在驅動感性負載時表現出色。由于具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，這款晶體管也被廣泛應用于工業(yè)控制設備和消費電子產品中。在實際應用中，需注意適當的散熱設計以確保長期穩(wěn)定工作，并且根據具體需求選擇合適的基極電阻值來優(yōu)化開關性能。

BDW63D 規(guī)格參數

制造商
Bourns
產品種類
Transistors Darlington
配置
Single
晶體管極性
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
120 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
5 V
集電極—基極電壓 VCBO
120 V
最大直流電集電極電流
6 A
最大集電極截止電流
200 uA
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
直流集電極/Base Gain hfe Min
750, 100
最小工作溫度
- 65 C
工廠包裝數量
50

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