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BCW66GLT1G

更新時間:2025-07-19 15:26:55

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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BCW66GLT1G外觀圖

BCW66GLT1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN GP 45V 800MA SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BCW66GLT1G 概述

BCW66GLT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款NPN晶體管。該晶體管采用SOT-23封裝，具有小體積的優(yōu)勢，適合高密度電路板安裝。其集電極 - 發(fā)射極電壓為45V，在集電極電流為150mA時能正常工作。它適用于信號放大、開關等應用場景。例如在音頻信號放大電路中，可作為前置放大級使用。由于其較小的封裝尺寸和合適的電氣參數(shù)，也常被應用于便攜式電子設備如手機、平板電腦等內(nèi)部的小信號處理電路。在使用時應注意不超過最大集電極耗散功率以確保正常工作，并且根據(jù)實際需求合理設計基極偏置電路來保證晶體管處于合適的工作狀態(tài)。

BCW66GLT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
800mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
45V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
700mV @ 50mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大）
20nA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
160 @ 100mA，1V
功率 - 最大
225mW
頻率 - 轉換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BCW66GLT1G-NDBCW66GLT1GOSTR

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BCW60
BCW60A
BCW60AR
BCW60B
BCW60C
BCW60C,215
BAV21W

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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