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產(chǎn)品型號(hào):NTD32N06LT4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):28
最大漏極電流Id(on)(A):32
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:32 A, 60 V功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):￥5.80


  來源:xiangxueqin
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