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產(chǎn)品型號:NTB5605PT4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):140
最大漏極電流Id(on)(A):18.500
通道極性:P
封裝/溫度(℃):D2PAK-3/-55~175
描述:-60V,-18.5AP溝道MOSFET
價格/1片(套):暫無


  來源:xiangxueqin
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