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IDT70V9289||SRAM||

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IDT70V9289型高速同步雙口SRAM的原理及應(yīng)用

    摘要：IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器（SRAM），可實現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。文中詳細介紹該電路的結(jié)構(gòu)和原理，給出IDT70V9289的典型應(yīng)用電路及設(shè)計時應(yīng)注意的問題。

     關(guān)鍵詞：SRAM 同步流通模式流水線模式

1 引言

      隨著科技的發(fā)展和高速設(shè)備的不斷涌現(xiàn)，數(shù)據(jù)傳輸率也越來越高。而由于傳輸方式的不同，各種高速設(shè)備在連接時能否實現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)交換就顯得十分重要。高速雙口SRAM的出現(xiàn)為解決這一問題提供了一種有效途徑。IDT70V9289是IDT公司新推出的高速同步雙口靜態(tài)存儲器，其容量為64k×16bit，具有設(shè)計簡單，應(yīng)用靈活等特點。

2 IDT70V9289的結(jié)構(gòu)及功能

2．1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      圖1示出IDT70V9289的結(jié)構(gòu)框圖，它主要由I/O控制器、存儲器陣列、計數(shù)器/地址寄存器和一些邏輯電路組成。

圖1

    2．2 功能特點

·真正的雙端口存儲器，完全同步操作

3.5ns時鐘建立時間，0ns保持時間（所有控制、數(shù)據(jù)和地址輸入）

具有數(shù)據(jù)輸入、地址和控制寄存器

·存儲容量達1024kbit(64k×16bit)；

·高速數(shù)據(jù)存取，其TCD（時鐘上升沿與數(shù)據(jù)輸入/輸出的時延）為

商業(yè)級：6/7.5/9/12ns(最大)

工業(yè)級：9ns(最大)

·應(yīng)用IDT公司的高性能CMOS技術(shù)，所耗低

工作時：500mW（典型值）

待機時：1.5mw(典型值)

·計數(shù)使能和重置功能

·通過FT/PIPE引腳選擇任意端口的流通（folw-through）或流水線輸出模式

·可對多路傳輸總線中的獨立高位字節(jié)和低位字節(jié)進行控制

·LVTTL接口電平，3.3V(±0.3V)單電源供電

2．3 引腳功能（以左邊端口引腳為例）

VDD：電源輸入端，起濾波作用的旁路電容器應(yīng)盡可能靠近電源引腳，并直接連接到地；

VSS：接地引腳；

CE0L，CE1L：使能端，當(dāng)CE0L為低電平且CE1L為高電平時，電路工作。該引腳可允許每個端口的片上電路進入低功耗的待機模式；

R/WL：讀/寫使能，此端為高電平時讀出，為低電平時寫入；

OEL：異步輸出使能；

A0L-A15L：地址同步輸入端；

I/O0L-I/O15L：數(shù)據(jù)輸入/輸出端；

CLK：：存儲器工作時鐘，所以輸入信號在該時鐘上升沿有效；

UBL：高位字節(jié)選擇，低電平有效；

LBL：低位字節(jié)選擇，低電平有效；

CNTENL：計數(shù)器使能，當(dāng)時鐘上升沿到來時，如果該引腳為低電平，則地址計數(shù)器工作，優(yōu)先級高于其它引腳；

CNTRSTL：計數(shù)器重置，低電平有效，優(yōu)先級高于其他引腳；

FT/PIPEL：流通（flow-through）和流水線模式選擇，高電平有時為流水線模式，此時輸出有效發(fā)生在CE0L為低電平且CE1L為高電平的二個周期。

ADSL：地址選通使能，低電平有效，優(yōu)先級高于其他引腳。

3 應(yīng)用舉例

      以IDT70V9289為核心，配以適當(dāng)?shù)目刂菩盘枺纯墒共煌瑐鬏敺绞降碾p路高速數(shù)據(jù)流實現(xiàn)無損傳輸。下面以某高速誤碼儀與CY7C68013型高速USB單片機的連接為例，介紹IDT70V9289的應(yīng)用及應(yīng)注意的問題。

3．1 讀模式選擇

      在設(shè)計中，高速誤碼儀的Virtex_II XC2V250與CY7C68013進行數(shù)據(jù)交換，由于CY7C68013采用突發(fā)方式傳輸且傳輸速度高達300Mbit/s，而Virtex-II XC2V250只能檢測連續(xù)數(shù)據(jù)流的誤碼，因此正好可以應(yīng)用IDT70V9289實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。IDT70V9289提供二種讀數(shù)據(jù)模式（流通模式和流水線模式）。為了實現(xiàn)高速傳輸和降低時序設(shè)計的復(fù)雜度，設(shè)計選擇了流水線模式。下面簡述二種模式的區(qū)別。

（1）結(jié)構(gòu)差別

      二者在寫入過程中完全一樣，都是通過輸入寄存器緩沖數(shù)據(jù)，但在讀出過程中，流水線模式通過輸出寄存器緩沖數(shù)據(jù)而流通模式則沒有。如圖2所示，在流水線模式中輸入寄存器和輸出寄存器工作在同一時鐘邊沿。

（2）時序差別

      結(jié)構(gòu)差別反映在時序關(guān)系上就是流通模式的數(shù)據(jù)輸出比流水線模式提前一周期，并與存儲器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個時鐘周期，并與存儲器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個時鐘周期，如圖3所示，這樣，可以實現(xiàn)地址輸入和數(shù)據(jù)輸出的同步，從而滿足一些電路的時序要求；而流水線模式由于有輸出寄存器，其輸出引腳上的讀數(shù)據(jù)在幾乎整個時鐘周期內(nèi)都是可用的，因而為器件取數(shù)據(jù)提供最佳的建立時間，并允許在更高的時鐘頻率下進行操作，同時設(shè)計者也無需擔(dān)心電路設(shè)計技巧和定時通路。更要注意的是：由于存在這種時序差別，設(shè)計者在選擇讀模式時，要考慮到相應(yīng)的時序變化，以免造成讀取數(shù)據(jù)錯誤。

3．2 電路設(shè)計

      由于本設(shè)計的數(shù)據(jù)傳輸率高達300Mbit/s，而IDT70V9289的容量僅有1024kbit，所以必須采取邊讀邊寫的方式緩沖數(shù)據(jù)。但是，IDT70V9289并不允許雙端口對同一地址同時進行讀和寫，也沒有像以前的SRAM（如IDT7024）那樣設(shè)計操作忙邏輯，而是制定了一套讀寫規(guī)則。由于這套讀寫規(guī)則比較復(fù)雜，為了降低時序關(guān)系的復(fù)雜度，本設(shè)計將IDT70V9289分成容量相等的二個區(qū)域，把地址預(yù)存入Virtex-II XC2V250和CY7C68013的RAM中。

      當(dāng)CY7C68013向Virtex-II XC2V250傳輸數(shù)據(jù)時，將Virtex-II XC2V250和IDT70V9289的片選端置低電平以啟動這二個電路，然后再向IDT70V9289發(fā)送數(shù)據(jù)，同時通過CLKOUT端向Virtex-II XC2V250的CLKIN發(fā)送時鐘，以使Virtex-II XC2V250定時讀取數(shù)據(jù)；當(dāng)CY7C68013發(fā)送512kbit后，即改變A0R-A15R引腳的值，同時Virtex-II XC2V250也通過內(nèi)置計數(shù)器定時改變A0L-A15L引腳的值，從而將CY7C68013的二個存儲區(qū)域交換過來，然后再按上述方式進行讀寫，如此循環(huán)下去。只要讀和寫的平均速率保持一致，就可以保證數(shù)據(jù)可靠傳輸。應(yīng)用電路框圖如圖4所示。這樣做不但充分利用了二個端口可同時進行存取操作的特點，而且巧妙地避免了同時對同一地址進行讀寫操作的沖突，從而達到了設(shè)計要求。

      當(dāng)Virtex-II XC2V250向CY7C68013傳輸數(shù)據(jù)時，也可以通過片選端啟動CY7C68013和IDT70D9289，其余過程與上面所述類似，不過由于CY7C68013有內(nèi)置時鐘，為了保持時間一致，此時的時鐘仍由CY7C68013提供。

  來源:xiangxueqin

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