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AUIRF1010EZS

更新時間:2025-06-05 15:57:13

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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官網(wǎng)可查icscjh.com

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

瀚佳科技（深圳）有限公司
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昆山隆誠翔電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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深圳市芯巴巴科技有限公司
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無錫固電半導體股份有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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深圳市科芯源微電子有限公司
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AUIRF1010EZS外觀圖

AUIRF1010EZS

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

AUIRF1010EZS 概述

AUIRF1010EZS是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件專為汽車應用設計，具有低導通電阻和高效率特性。其最大漏極-源極電壓（VDSS）為100V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C時可達68A，在100°C時為45A。它采用標準TO-263封裝，便于安裝和散熱管理。這款MOSFET適用于多種汽車電子系統(tǒng)中的高效電源管理應用，如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、燃油噴射控制以及電機驅(qū)動電路等。在實際應用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并注意PCB布局以優(yōu)化散熱效果。對于高頻開關應用，需考慮寄生電容的影響，適當調(diào)整柵極電阻值可以改善EMI性能。

AUIRF1010EZS 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
75A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.5 毫歐 @ 51A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
86nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2810pF @ 25V
功率 - 最大
140W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
管件

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廣東微爾科技有限公司

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AUIR0815S
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AUIR3313
ALC655

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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