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APT8030B2VRG

更新時間:2025-06-04 11:49:38

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標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
POWER MOS V®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
27A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
510nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7900pF @ 25V
功率 - 最大
520W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
供應商設備封裝
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包裝
管件

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APT801R2AN
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