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APT75GP120JDQ3

更新時間:2025-06-10 15:22:48

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APT75GP120JDQ3 概述

APT75GP120JDQ3是Microsemi公司生產的一款功率MOSFET，采用碳化硅（SiC）技術制造。該器件具有低導通電阻和高擊穿電壓特性，適用于高壓高頻應用環(huán)境。其最大漏源電壓可達1200V，連續(xù)漏極電流在25°C下為75A。這款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、電動汽車充電系統(tǒng)以及不間斷電源（UPS）等需要高效能量轉換的場合。它能夠顯著降低開關損耗，提高系統(tǒng)整體效率，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。在實際應用中，建議根據具體電路需求合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度。同時要注意PCB布局設計，確保良好的散熱效果。例如，在并聯使用多個MOSFET時，需特別關注均流問題，可通過添加小阻值檢測電阻實現精確電流監(jiān)控。

APT75GP120JDQ3 規(guī)格參數

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
IGBT
系列
POWER MOS 7®
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.9V @ 15V，75A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
128A
電流 - 集電極截止（最大）
1.25mA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
7.04nF @ 25V
功率 - 最大
543W
輸入
標準型
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
ISOTOP
供應商設備封裝
ISOTOP?
其它名稱
APT75GP120JDQ3MIAPT75GP120JDQ3MI-ND

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APT75DQ100BG
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APT75GN120JDQ3
AQW214EH

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