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APT10SCD65K

更新時間:2025-05-21 08:00:22

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APT10SCD65K 概述

APT10SCD65K是Alpha and Omega Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高效率特性。該MOSFET的最大漏源電壓（VDS）為650V，適用于需要高耐壓的開關電源應用。其連續(xù)漏極電流（ID）為10A，在25°C條件下典型值。此款MOSFET廣泛應用于交流-直流電源轉換器、直流-直流轉換器以及照明系統(tǒng)等場合。在電路設計中，建議關注柵極驅動的設計以確保可靠開啟和關閉。由于其較高的擊穿電壓和較低的導通損耗，特別適合于高性能電源管理解決方案，如適配器、服務器電源及工業(yè)控制設備中的功率轉換模塊。注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。

APT10SCD65K 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
散裝
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
技術
SiC（Silicon Carbide）Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
電流 - 平均整流 (Io)
17A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 10 A
速度
無恢復時間 > 500mA（Io）
反向恢復時間 (trr)
0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏
200 μA @ 650 V
不同?Vr、F 時電容
300pF @ 1V，1MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-2
供應商器件封裝
TO-220 [K]
工作溫度 - 結
-55°C ~ 150°C

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廣東微爾科技有限公司

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APT1001R1AVR
APT1001R1BN
APT1001R1BVFR
APT1001R6BFLLG
APT1001RBLC
APT1001RBVFRG
AO3415

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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