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ZXMN6A25DN8TA

更新時間:2025-07-03 09:26:55

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廠商
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詢價

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

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DiodesIncorporated
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十

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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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只做原裝假一賠億

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ZXMN6A25DN8TA 概述

ZXMN6A25DN8TA是Diodes Incorporated生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用DFN2x2封裝，適用于表面貼裝工藝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，典型應用包括負載開關、電源管理電路以及DC-DC轉換器中。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，它能有效提高電源效率并減小熱損耗。使用時應注意其最大漏源電壓為25V，連續(xù)漏極電流可達4.2A，在設計PCB布局時應確保散熱良好以避免過熱損壞。對于需要緊湊空間和高效能的功率控制電路，這款MOSFET是一個理想選擇。

ZXMN6A25DN8TA 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫歐 @ 3.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1063pF @ 30V
功率 - 最大
1.25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
ZXMN6A25DN8TR

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ZEN056V130A24LS

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