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ZXMN4A06GTA

更新時間:2025-07-03 19:11:27

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市芯引力電子科技有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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只做自己原裝現(xiàn)貨，10年保證

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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優(yōu)勢國外原裝現(xiàn)貨2周，價優(yōu)

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ZXMN4A06GTA 概述

ZXMN4A06GTA是由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率管理應用。其最大漏極-源極電壓為60V，適合于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電池充電電路等場景。在便攜式設備中，如智能手機和平板電腦，它能有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，通常建議柵極電壓至少為4.5V。設計電路時應考慮適當?shù)纳岽胧?，避免過熱損壞。對于需要緊湊布局的PCB設計，SOT-23封裝提供了良好的空間利用率。

ZXMN4A06GTA 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
770pF @ 40V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
ZXMN4A06GTR

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ZXMN4A06GTA
ZXMN
ZXMN0545G4TA
ZXMN0545G4TC
ZXMN10A07F
ZXMN10A07FTA
ZXMN10A07FTC
Z0409MF

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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